IPB110N06L G

产品描述

MOSFET N-CH 60V 78A

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规格书	IPB,IPP110N06L G
文档	Multiple Devices 11/Dec/2009
产品更改通知	Product Discontinuation 11/Dec/2009
标准包装	1
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	78A
Rds（最大）@ ID，VGS	11 mOhm @ 78A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2V @ 94µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	79nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2700pF @ 30V
功率 - 最大	158W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	PG-TO263-3
包装材料	Cut Tape (CT);;其他的名称；
FET特点	Logic Level Gate
封装	Cut Tape (CT)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	78A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2V @ 94µA
漏极至源极电压（Vdss）	60V
标准包装	1
供应商设备封装	PG-TO263-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	11 mOhm @ 78A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	158W
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容（Ciss ） @ VDS	2700pF @ 30V
闸电荷（Qg ） @ VGS	79nC @ 10V
其他名称	IPB110N06LGINDKR
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
安装风格	SMD/SMT
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	78 A
RDS（ON）	11 mOhms
功率耗散	158 W
最低工作温度	- 55 C
典型关闭延迟时间	45 ns
零件号别名	IPB110N06LGXT
上升时间	19 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	18 ns

型号	厂家	产品描述
IPB110N06LGXT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 78A 3-Pin(2+Tab) TO-263

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